晶圓製造

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晶圓製造-1
  • ●需求製程: Coating後製程
  • ●設備規格:
    1. 產品尺寸：12吋 (300mm*300mm)
    2. 產品尺寸：矩形&方形
    3. 檢出缺陷尺寸:3um
    4. 光學環境:支援明視場、暗視場檢查
    5. Tact Time(sec.):180s/wafer
    6. CCD FOV:4mm
    7. 缺陷類型:異物、刮傷、髒污等判定
    8. DUC乾式清潔系統
    9. 進/出料方式:人員手動取料
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